MOSFET與IGBT

無錫新潔能專業(yè)從事半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)與銷售。目前新潔能主要產(chǎn)品包括：12V~200V溝槽型功率MOSFET（N溝道和P溝道）、30V~300V屏蔽柵功率MOSFET（N溝道和P溝道）、500V~900V超結(jié)功率MOSFET、600V~1350V溝槽柵場截止型IGBT，相關(guān)核心技術(shù)已獲得多項(xiàng)專利授權(quán)，四大系列產(chǎn)品均獲得江蘇省高新技術(shù)產(chǎn)品認(rèn)定。公司是高新技術(shù)企業(yè)、中國半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)（中國半導(dǎo)體協(xié)會，2016&2017&2018年），擁有江蘇省功率器件工程研究中心、江蘇省研究生工作站，注重先進(jìn)半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，多項(xiàng)研發(fā)成果在IEEE、ISPSD等國際期刊/國際會議上發(fā)表，并被SCI、EI索引。
新潔能MOS管與IGBT產(chǎn)品圖片

新潔能MOSFET:

作為新潔能MOSFET分立器件授權(quán)代理商，南山電子致力于推廣性能優(yōu)良、質(zhì)量穩(wěn)定并且具有價格競爭力的全系列MOS管產(chǎn)品。我們?yōu)殡娐吩O(shè)計(jì)師們提供全面的產(chǎn)品選擇，擊穿電壓覆蓋-200V至300V，配合最先進(jìn)的封裝技術(shù)，為您提供100mA至400A的電流選擇范圍。新潔能專注于持續(xù)改進(jìn)MOSFET在電能轉(zhuǎn)換過程中的系統(tǒng)效率和功率密度以及在苛刻環(huán)境下開關(guān)過程中的抗沖擊雪崩耐量，實(shí)現(xiàn)快速、平穩(wěn)、高效的電源管理及電能轉(zhuǎn)換。

通過采用最先進(jìn)的溝槽柵工藝技術(shù)和電流通路布局結(jié)構(gòu)，新潔能MOSFET實(shí)現(xiàn)了功率密度最大化，從而大幅度降低電流傳導(dǎo)過程中的導(dǎo)通損耗。同時，電流在芯片元胞當(dāng)中的流通會更加均勻穩(wěn)定；應(yīng)對于高頻率的開關(guān)應(yīng)用，我們?yōu)樵O(shè)計(jì)師們提供低開關(guān)損耗的系列產(chǎn)品（產(chǎn)品名稱后加標(biāo)C），其有效降低了柵極電荷（Qg），尤其是柵極漏極間的電荷（Qgd），從而在快速開關(guān)過程中降低開關(guān)功率損耗。通過采用這些先進(jìn)的技術(shù)手段，MOSFET的FOM（品質(zhì)因子（Qg*Rdson））得以實(shí)現(xiàn)行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先水平。

應(yīng)對于半橋/全橋、AC/DC電源的同步整流以及其它需要反向續(xù)流的應(yīng)用終端，我們的MOSFET著重優(yōu)化了Body Diode，在提高和加快反向續(xù)流能力的同時，降低反向恢復(fù)過程中的峰值電流（Irm）和電壓（Vrm）。

新潔能結(jié)合最先進(jìn)的封裝技術(shù)將MOSFET功率、電流和可靠性提升至新的高度，我們推出TO-220H封裝外形（產(chǎn)品名稱后加標(biāo)H），有效地增加了用戶在電路板裝配MOSFET的工作效率，并降低了成本。

特點(diǎn)與優(yōu)勢：

·低FOM（Rdson*Qg） ? ? ?·高雪崩耐量,100%經(jīng)過EAS測試 ? ? ?·低反向恢復(fù)電荷（Qrr）,低反向恢復(fù)峰值電流（Irm）

·抗靜電能力（ESD） ? ? ?? ? ?·抗靜電能力（ESD） ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?·符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用：

·各類鋰電池保護(hù)模塊 ? ? ? ? ?·手機(jī)、平板電腦等便攜式數(shù)碼產(chǎn)品電源管理 ? ? ? ? ·LED TV等消費(fèi)類電子產(chǎn)品電源

·電動交通工具控制器 ? ? ? ? ?·不間斷電源，逆變器和各類電力電源 ? ? ? ? ? ? ? ?·LED照明

新潔能IGBT

IGBT:

新一代（Trench FS II）IGBT系列產(chǎn)品，?基于溝槽電場截止型IGBT技術(shù)（Trench Field Stop）理論，進(jìn)一步優(yōu)化了器件結(jié)構(gòu)，采用了先進(jìn)超薄片工藝制程（Ultra Thin Wafer Process），大幅提高了器件的功率密度，顯著改善了動態(tài)、靜態(tài)性能。相比上一代（Trench FS）IGBT，新一代（Trench FS II）IGBT芯片面積更小，芯片厚度更薄；導(dǎo)通壓降（VCEsat）降低約0.3V，開關(guān)損耗降低20%以上；器件可耐工作溫度更高，使用壽命更長；且維持了較強(qiáng)的短路能力、較高的參數(shù)一致性；綜合性能達(dá)到業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平。

針對不同的應(yīng)用需求，推出了完善的IGBT產(chǎn)品系列，確保在特定應(yīng)用中，器件保持最佳工作狀態(tài)，助您實(shí)現(xiàn)最理想的整機(jī)效率。

對于焊接、太陽能、UPS、電機(jī)驅(qū)動和家用電器等硬開關(guān)應(yīng)用，推出了低速（<20KHZ）和高速系列（<60KHZ）產(chǎn)品系列，提供各種封裝形式，方便用戶靈活設(shè)計(jì)。

對于感應(yīng)加熱、太陽能等諧振開關(guān)應(yīng)用，推出了新一代1200V、1350V產(chǎn)品系列，具有高擊穿電壓、大通流容量等優(yōu)勢；與反并聯(lián)二極管或單片集成二極管合并封裝，方便應(yīng)用設(shè)計(jì)。

特點(diǎn)與優(yōu)勢：

- 低導(dǎo)通壓降（VCEsat） ? ? ? ? ?-低開關(guān)損耗（Ets） ? ? ? ? ?-短路能力10us ? ? ? ? ?- 低電磁干擾?

- 電參數(shù)重復(fù)性和一致性 ? ? ? ? ?- 高可靠性 ? ? ? ?? ?? ?? ?? ?? ?- 高溫穩(wěn)定性 ? ? ? ? ?- 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)?

應(yīng)用：

-?電機(jī)驅(qū)動??????????????-?逆變焊機(jī)??????????????????????-?不間斷電源UPS ???????? ????-?變頻器?????????

-?工業(yè)逆變器??????????-?太陽能功率轉(zhuǎn)換器? ? ? ???-?電磁感應(yīng)加熱? ? ? ? ? ? ? ???-?諧振開關(guān)應(yīng)用

熱銷MOS管與IGBT型號
NCE2301	NCE9926	NCE0106Z
NCE3416	NCE01P13K	NCE30H10K
NCE2302	NCE603S	NCE3050K
NCE3420	NCE0140KA	NCEP6080AG
NCE3404	NCE2333Y	NCE4060K
NCE4935	NCE2030K	NCEP0112AS
NCE3007S	NCE3080KA	NCE6009AS
NCE0103Y	NCEP1520K	NCEP60T12AK
NCE40P05Y	NCEP40T13GU	NCE3025Q
NCE3400AY	NCE3415	NCE2303