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新一代屏蔽柵溝槽型功率MOS管-新潔能30-250V N溝道SGT-Ⅲ MOSFET系列產(chǎn)品介紹

發(fā)布時(shí)間：2024-12-10 品牌：新潔能(NCE) 瀏覽量：376

SGT技術(shù)本身是一種先進(jìn)的制造工藝，通過減小場效應(yīng)晶體管的寄生電容及導(dǎo)通電阻，提升了芯片性能，并減少了芯片面積。與傳統(tǒng)的溝槽型MOSFET相比，SGT技術(shù)能夠在相同功耗下將芯片面積減少40%甚至更多。之前有相關(guān)文章介紹了新潔能N溝道SGT-I和SGT-II系列產(chǎn)品，今天來介紹新潔能新一代屏蔽柵溝槽型功率MOS管-新潔能30-250V N溝道SGT-Ⅲ MOSFET系列產(chǎn)品。

產(chǎn)品特點(diǎn):

導(dǎo)通電阻降低：相比于上一代產(chǎn)品，SGT-Ⅲ系列MOSFET的特征導(dǎo)通電阻降低了20%以上。
開關(guān)特性優(yōu)良：該MOSFET具有超低柵極電荷和大電流關(guān)斷能力強(qiáng)的特點(diǎn)，能夠?qū)崿F(xiàn)快速、平穩(wěn)、高效的電源管理和電機(jī)控制。
抗沖擊能力強(qiáng)：新潔能的Super Trench技術(shù)提升了MOSFET器件在電能轉(zhuǎn)換過程中的系統(tǒng)效率和功率密度，同時(shí)確保在苛刻環(huán)境下開關(guān)過程中的抗沖擊耐量短路能力提升：短路能力也提升了10%以上，進(jìn)一步增強(qiáng)了產(chǎn)品的性能和競爭力。
EMI特優(yōu)化性：第三代產(chǎn)品具有更優(yōu)的電磁干擾（EMI）特性，可以更好地應(yīng)對(duì)電磁干擾問題。

30-250V N溝道SGT-III MOSFET產(chǎn)品列表
NCEP008NH40GU	NCEP088NH150GU	NCEP015NH30AQU	NCEP055NH40GU
NCEP023NH30GU	NCEP008NH40ASL	NCEP015NH30GU	NCEP055NH40AGU
NCEP040NH150LL	NCEP018NH30QU	NCEP015NH30AGU	NCEP011NH40GU
NCEP011NH25QU	NCEP023NH85GU	NCEP015NH100LL	NCEP015NH40GU
NCEP048NH150T	NCEP014NH60GU	NCEP058NH150	NCEP011NH40AGU

產(chǎn)品應(yīng)用:

電源管理：廣泛于電源開關(guān)、電源逆變器、電源供應(yīng)和穩(wěn)壓器等應(yīng)用，以提供高效的電能控制和穩(wěn)定的電壓輸出。
電機(jī)控制：適用于高功率電機(jī)控制，如電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器、工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備、大型電機(jī)和電機(jī)保護(hù)電路。

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