新潔能(NCE) P溝道

新潔能提供質(zhì)量可靠、品種齊全、性能卓越的車規(guī)級功率器件，包含N型MOSFET，P型MOSFET，雙通道MOSFET，IGBT，上述車規(guī)級功率器件均已通過AEC-Q101認證。其中，車規(guī)級功率MOSFET器件電壓覆蓋范圍為-150V至1050V，車規(guī)級IGBT器件電壓覆蓋范圍為600V至1200V?；谙冗M的功率器件設(shè)計與晶圓制造技術(shù)，穩(wěn)定可靠的封裝技術(shù)，優(yōu)異的質(zhì)量管控，我們致力于為客戶提供“零”缺陷的汽車功率器件產(chǎn)品。 新潔能車規(guī)級功率器件已經(jīng)廣泛應(yīng)用在汽車上，從電控單元到域控制器，從蓄電池防反接到電池管理系統(tǒng)，從車艙電機驅(qū)動到主驅(qū)電控，以及各個汽車零部件中，我們?yōu)槠囯娮釉O(shè)計工程師提供了全面的產(chǎn)品選擇。新潔能提供擊穿電壓等級-12V至-150V的P溝道車規(guī)級功率MOSFET產(chǎn)品。P溝道增強型功率MOSFET由于其獨特的柵極負壓導(dǎo)通機制，當它被用作高邊開關(guān)時，可以大幅度降低系統(tǒng)的設(shè)計復(fù)雜度。我們提供的P型車規(guī)級功率MOSFET器件，以其超低的導(dǎo)通電阻，堅固的可靠性在汽車蓄電池防反接領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。

新潔能提供擊穿電壓等級范圍為-30V至-100V的P溝道SGT-I系列功率MOSFET產(chǎn)品。P溝道增強型功率MOSFET在降低系統(tǒng)設(shè)計復(fù)雜度上擁有天然的優(yōu)勢，獨特的柵極負壓開啟機制，使得P溝道功率MOSFET成為高端開關(guān)的理想選擇。P溝道功率MOSFET產(chǎn)品的選用可以簡化柵極驅(qū)動，往往可以降低系統(tǒng)的總成本，為設(shè)計人員提供了一種新的選擇。此外，P溝道功率MOSFET產(chǎn)品利用空穴作為載流子進行導(dǎo)電，其遷移率低于N溝道功率MOSFET中的載流子電子，同等情況下，P溝道功率MOSFET產(chǎn)品導(dǎo)電性能弱于N溝道功率MOSFET產(chǎn)品。 新潔能基于SGT-I技術(shù)的-30~-100VP溝道功率產(chǎn)品提供超低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)），為設(shè)計人員在簡化系統(tǒng)復(fù)雜度、降低系統(tǒng)總成本的前提下，進一步提高系統(tǒng)效率與性能。廣泛應(yīng)用于電池保護、負載開關(guān)、電機控制及低壓驅(qū)動等應(yīng)用中。

P溝道SGT-I系列功率MOSFET封裝范圍包括TO-220、TO-252、TO-263、DFN5*6、SOP-8等多種封裝形式，為設(shè)計人員優(yōu)化系統(tǒng)提供解決方案。