電能表元器件文章標(biāo)題    通過(guò)改進(jìn)光耦電路提升零電壓測(cè)量精度的方法


在不同潛路工作的電路中,用光耦建立電流隔離看上去似乎很簡(jiǎn)單。光耦從隔離電路中獲取能量,由于LED老化,開(kāi)關(guān)相對(duì)慢且不穩(wěn)定。若不用光耦,可使用如Analog Devices公司的ADUM12xx或Texas Instruments 公司的ISO72x替代。本設(shè)計(jì)方案闡述了一個(gè)簡(jiǎn)單改進(jìn)光耦電路的方法。

  圖1顯示了兩個(gè)通用的0V同步交流設(shè)計(jì)。通過(guò)光耦負(fù)載電阻的減少,開(kāi)關(guān)變得更慢更不確定,但減少了光耦的LED電流,嘗試減少隔離電路中的能量消耗。為實(shí)現(xiàn)更快更迅速的開(kāi)關(guān),將不得不犧牲能量效率;然而,由于能量效率和交流電壓大小的反向關(guān)系,這個(gè)犧牲的好處是有限的。

兩個(gè)通用的0V同步交流設(shè)計(jì)

  光耦的LED在近似全交流循環(huán)過(guò)程中超乎尋常的幾乎連續(xù)發(fā)光,導(dǎo)致功耗效率低,且使光耦老化得相對(duì)較快:一個(gè)顯著的缺點(diǎn)是過(guò)原點(diǎn)誤差過(guò)大且?guī)缀醪豢煽?;電路的靈敏度范圍依靠光耦的參數(shù)。圖1的設(shè)計(jì)不是一個(gè)理想方案。就效率而言,依靠光耦的電流轉(zhuǎn)換率和交流幅值,它們能輸出5到100 mA。

  圖2的設(shè)計(jì)克服了能耗過(guò)大、不確定開(kāi)關(guān)和LED老化的問(wèn)題。它非常適用于寬交流范圍的應(yīng)用。與圖1的電路相比,圖2的LED只在過(guò)原點(diǎn)附近發(fā)光,且由前置充電電容接收能量,所以通過(guò)10到100的因數(shù)減少平均電流消耗。設(shè)計(jì)也提供更快、更確定和更敏銳的開(kāi)關(guān)。更甚者,希望延緩LED老化。圖1中電阻R1和R2消耗的熱功率不小于1.5W,所以在同一電路板區(qū)域用0.1W設(shè)備替換外部器件(圖2)。

圖2的設(shè)計(jì)克服了能耗過(guò)大

  電路的主要部分由幅值檢波器D1、電容C1和Schmitt觸發(fā)器Q1/Q2組成,控制流過(guò)光耦的LED電流。D2和D3穩(wěn)定Q2的基電壓,從而其集電極電流驅(qū)動(dòng)光耦。電容C1通過(guò)R1、R2和D1充電。

  幾乎所有交流周期中,除了過(guò)原點(diǎn)附近,Q1為開(kāi),Q2為關(guān)。然后,接近過(guò)原點(diǎn)時(shí),

Schmitt觸發(fā)器Q1和Q2的狀態(tài)改變,Q2以恒定的電流卸放電容C1,因?yàn)橛蒕2、D2、D3、R5和R6組成的電路按I=(2×VD–VBE2)/R6穩(wěn)定電流,在這里VD為D2或D3上的電壓降,VBE2為Q2的基射極電壓。

  一些應(yīng)用不需要Schmitt觸發(fā)器固有的磁滯性;圖3顯示了這樣的一個(gè)設(shè)計(jì)。它也顯示了怎樣處理不需要的D1最小反轉(zhuǎn)電流。然而,電路更適用于純同步和非晶閘管控制。由于LED電流的穩(wěn)定性,這些設(shè)計(jì)使輸入交流電壓的范圍擴(kuò)大,其有利于多標(biāo)準(zhǔn)交流供電設(shè)計(jì);有機(jī)會(huì)在LED沒(méi)有過(guò)載危險(xiǎn)的情況下設(shè)置LED電流;減少光耦不穩(wěn)定的影響。這樣設(shè)計(jì)的另一個(gè)優(yōu)勢(shì)為其固有更安全的特性。在其終端短路的情況下,光耦在隔離與非隔離側(cè)之間傳遞的電流比圖1電路中少10到100倍。光耦也有優(yōu)勢(shì)。由于低占空比,可以不損失功率而任意減少光耦負(fù)載電阻R8的值。這個(gè)減少將使過(guò)原點(diǎn)誤差降低。

顯示了怎樣處理不需要的D1最小反轉(zhuǎn)電流